Вы уже 2й раз создаёте консультацию на эту тему. В предыдущей Вашей консультации rfpro.ru/question/202019 (Ссылка) я рассказал Вам о причине падение напряжения и советовал Вам "Почитайте теорию, как работает транзистор и простейший транзисторный усилитель звуковой частоты."
Если бы Вы почитали азы про принцип работы транзистора, Вы бы поняли, что запрашиваемый Вами "коэффициент разветвления" (колич-во элементов, подключенных к первому элементу) тут совершенно ни при чём. Достаточно сделать простой расчёт растекания токов ч-з резистор R1 в цепи коллектора первого транзистора.

Напишите подробнее: Откуда Вы узнаёте о том, что "Там происходит падение напряжения при добавлении элементов"?, Вы спаяли усилитель, либо занимаетесь бумажными расчётами, либо работаете в программе-эмуляторе электронных схем? В какой программе?
Какой Ваш уровень подготовки в электронике? Знаете ли Вы что такое Режим транзистора по постоянному току?
Откуда Вы берёте свои задачи? Опубликуйте сюда свою "методичку" или ссылку на неё.
Расскажите про свою конечную цель: Вы что-то изобретаете при нехватке знаний, либо Вас заставляют учиться вопреки Вашему желанию?

Вы спрашивали : "что такое b в формуле тока … I = Io*(e^(b*(U-I*rb)) - 1)" - я впервые вижу такую формулу, а Вы не потрудились написать хотя бы вкратце о чём эта формула? из какой темы? Я могу лишь догадываться, что эта формула описывает зависимось входного тока Базы от входного напряжения транзистора. В 1973г нас в таганрогском радио-институте учили по другой эмпирической формуле. Но почти все студенты забыли её изза её ненужности на практике.

Вы тоже могли догадаться, что поскольку в формуле число "e" возводится в степень, то показатель степени должен быть Безразмерной величиной. А тк в показателе переменная b умножается на напряжение в Вольтах, значит, для получения безразмерного произведения коэффициент b должен быть выражен в Вольт^-1 (1 / Вольт).
В популярном приложении Маткад (ссылка) я построил график с 2мя кривыми для разных значений b (b1 и b2) . На графике хорошо видно, что коэффициент b олицетворяет напряжение отпирания p-n-перехода транзистора в зависимости от материала, из которого сделан кристалл (Германиевые p-n-переходы отпираются при напряжении [$8776$] 0,2 В, кремниевые - при 0,6 … 0,7 В). Маткад-скриншот с графиком прилагаю.

Извините, что повторно создал тему, просто в первой консультации не совсем верно сформулировал вопрос. Я студент, выполнял лабораторную работу в программе Orcad, просто хотел прояснить некоторые моменты перед тем как сдавать ее. У меня низкий уровень подготовки. Формула свыше показывают вольтамперную характеристику диода с учетом объемного сопротивления базы. Спасибо, что объяснили формулу. Я учусь на 4 курсе, направление связано с созданием интегральных схем и кристаллов. Меня никто не заставлял учиться там, я сам выбрал эту специальность. Просто слишком поздно понял, что это не мое и мне это не особо нравится. Однако получить диплом все равно нужно, все же до последнего курса проучился, надо уже до конца идти.

Спасибо за Вашу краткую биографию. Я понимаю Вас, потому что сам был в Вашей ситуации в 1969г. После 2х-недельных стрессов в МВТУ им Баумана, где мне опротивела История КПСС, механические Труды и общественная нагрузка Комсомол-Агитатора… Я сбежал из ВУЗа, чудом откосил от армии с ужасной дедовщиной, и в 1970м поступил в Таганрогский радио, где учился легко, потому что с удовольствием.

Вы писали "Спасибо, что объяснили формулу", значит, у Вас остался 1 вопрос : "каким образом коэффициент разветвления влияет на схему… Там происходит падение напряжения при добавлении элементов" - ну, это легко. Щас я объясню Вам "на пальцах". Для объяснения мне понадобится нормальная копия Вашей эл-схемы, её надо создать редактированием из Ваших монстров.

"Извините, что повторно создал тему" - Вы можете создавать / повторять консультации неограниченное число раз, в этом нет криминала, кроме случая, когда консультация ещё не закрылась по истечении 5 суток жизни, а Вы уже создали новый дубль.
Если Вам за что-то стыдно, и Вы хотите что-то исправить, то я подскажу, над чем надо поработать: Ваши 2 картинки огромного размера 4,4 + 4,2 МБ - это издевательство над экспертами вроде меня, живущими в глуши с медленным и ограниченным интернетом. Каждый Ваш файл скачивался примерно минуту времени! Затем мне приходится редактировать эти картины, далать обрезку, поворот (1 из картин лежит на боку), уменьшение размера, повышение контраста, удаление тетрадных клеточек…

Неудачно выбранный Вами формат .jpeg хорош для полутоновых картинок (портреты, пейзажи, натюрморты…). Для электро-схем и чертежей надо использовать компактные контрастные форматы gif или png . Картинки в них не портятся при много-кратном редактировании (как в .jpeg / jpg ). Явно избыточный размер Ваших картин был бы оправдан при показе на огромном экране шириной в 10 метров. Но на экране обычного монитора зто излишество не добавляет визуального качества, но требует 500-кратного пространства для хранения файла на жёстком диске!
За 2 часа я создал копию Вашей схемы (прикрепляю), её объём всего 7 кБ (в 600 раз меньше объёма Вашей картинки).
Сейчас я объясню принцип работы упрощённо (как объяснял пацанам, моим ученикам). Вы не сообщили: Какое у Вас напряжение питания Vdd, какого рода сигнал Вы обрабатываете : аналоговый (синусоиду с м амплитудой) либо цифровой (со стандартными уровнями логич-го нуля и логич-единицы)? Мне остаётся догадываться, что Ваш термин "коэффициент разветвления" характерен для цифровой техники. Пусть Vdd = 5 В (самое популярное значение). Значит, генератор G вырабатывает "цифру" - прямоугольные импульсы с уровнями :
Логическая единица - +4 В (Vdd - 1В) , Логический нуль 0,4 В.

Первая фаза: U1 = +4 В. Транзистор VT1 открыт и насыщен. Ток его базы i_Б = (U1 - U_o) / R2 [$8776$] 0,3 мА при R2 = 10 кОм, где
U_o [$8776$] 0,6… 07 В - пороговое напряжение отпирания у кремниевых транзисторов. Ток коллектора был бы i_к = [$946$]·i_Б = 30 мА при [$946$] = 100 (коэффициент усиления по току), если бы R1 = 0. Но у нас пусть R1 = 1 кОм, иначе при R1 = 0 не произойдёт выделение напряжения, то есть не будет никакого усиления по напряжению. Значит, на его коллекторе U2 = 0,2 В (напряжение насыщения). Транзисторы элементов D2, D3 - заперты, тк U2 < U_o. Напряжение на их выходах U3 = Vdd = 5 В.

Вторая фаза: U1 = +0,4 В. Транзистор элемента VT1 заперт, тк напряжение U1 < U_o . На его коллекторе было бы U2 = Vdd , если бы элементы D2, D3 отсутствовали. Но теперь ток ч-з R1 не "поедается" коллектором VT1 , а растекается в базы транзисторов VT2, VT3… ч-з их токо-ограничительные резисторы R2. Чем больше вторичных элементов подключено к выходу D1, тем выше Коэффициент разветвления, тем бОльший ток протекает ч-з резистор R1 элемента D1 и этим вызывает бОльшее падение напряжения U_R1 на этом резисторе. Изза этого уменьшается
U2 = Vdd - U_R1 . При очень малом U2 вторичные элементы D2, D3… могут НЕ открыться в нужный момент.

Для повышения Нагрузочной способности первого элемента (повысить его Коэффициент разветвления) уменьшают его R1, увеличивают R2 вторичных элементов, применяют Эмиттерные повторители и проч схемные ухищрения.
Надеюсь, я достаточно подробно растолковал?

Спасибо, что все детально объяснили. В будущем, если появятся новые вопросы, буду присылать файлы малого размера.

Я рад, что Вы всё поняли и не обиделись на вредного старика. НаЗдоровье Вам!