Здравствуйте, dar777!
Напряжённость поля, создаваемого равномерно заряженной пластиной, равна
![](https://rfpro.ru/formulas/57870.png)
где
[$961$] - объёмная плотность заряда,
d - толщина пластины,
[$949$][sub]0[/sub] = 8.8542[$183$]10[sup]-12[/sup] Ф/м - электрическая постоянная. Для свободных электронов с концентрацией
n плотность зарядов равна
![](https://rfpro.ru/formulas/57865.png)
где
e = 1.602[$183$]10[sup]-19[/sup] Кл, откуда
![](https://rfpro.ru/formulas/57866.png)
Следовательно, напряжённость поля пластины прямо пропорциональна её толщине, и компенсация внешнего поля напряжённостью
E происходит при
![](https://rfpro.ru/formulas/57867.png)
или
![](https://rfpro.ru/formulas/57868.png)
В данном случае
E = 300 В/м,
n = 10[sup]22[/sup] см[sup]-3[/sup] = 10[sup]28[/sup] м[sup]-3[/sup] и
![](https://rfpro.ru/formulas/57869.png)
Соответственно, поле свободных электронов пластины не сможет скомпенсировать внешнее поле при
d < 3.316[$183$]10[sup]-18[/sup] м. Так как данная величина намного меньше размера атома (
10[sup]-11[/sup][$247$]10[sup]-9[/sup] м), то изготовить такую пластину невозможно.