Консультация № 168008
22.05.2009, 18:17
0.00 руб.
0 0 0
Обратный ток насыщения полупроводникового диода I = 1 мкА при Т=27С и I=10 мкА при Т=65С. Построить вольт-амперные характеристики этого диода при температурах, равных 27 и 65С, при изменении напряжения от 2 до 0.5 В.

Обсуждение

Форма ответа