Консультация № 185429
13.02.2012, 14:54
67.15 руб.
0 0 0
Здравствуйте, уважаемые эксперты! Прошу вас проверить правильно ли я ответил на вопросы из теста и помочь ответить на вопросы , на которые не смог ответить(правильные ответы(как я ответил по-моему правильные) я красным цветом отметил):


КИНЕТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОВЫХ РАЗРЯДАХ

1. Какой временной масштаб характеризует условие квазинейтральности плазмы?

а) среднее время между двумя последовательными электрон-ионными столкновениями,
б) среднее время между двумя последовательными упругими столкновениями электрона,
в) время, за которое концентрация распадающейся плазмы уменьшается в е раз.
г) период плазменных колебаний.

2. Какой пространственный масштаб характеризует условие квазинейтральности плазмы?

а) радиус экранирования Дебая,
б) средняя длина свободного побега электрона,
в) масштаб, на котором концентрация плазмы меняется в е раз,
г) среднее расстояние между частицами плазмы.

3. От чего зависит потенциал плазмы?

а) только от разности концентраций электронов и ионов,
б) только от концентрации электронов,
в) только от концентрации ионов,
г) только от концентрации электронов, ионов и их скоростей.

4. От чего зависит потенциал изолированного тела, помещенного в плазму (плавающий потенциал)?

а) только от разности концентраций электронов и ионов вблизи изолированного тела,
б) только от разности потоков заряженных частиц (электронов и ионов) на поверхность тела,
в) только от температуры электронов и ионов,
г) только от потенциала плазмы.


5. От чего зависит сечение ионизации электронным ударом?

а) от энергии электрона и типа ионизуемой частицы,
б) от типа ионизуемой частицы,
в) от типа ионизуемой частицы и ее энергии,
г) от энергии электрона, типа ионизуемой частицы и их концентраций.


6. Когда ступенчатая ионизация может играть существенную роль в процессе ионизации?

а) при температуре электронов значительно выше потенциала ионизации,
б) при температуре электронов значительно выше потенциала ионизации и низкой температуре ионизируемого газа,
в) при температуре электронов ниже потенциала ионизации, но сравнимой с ней,
г) при температуре электронов не выше 0,1 эВ.

7. Как зависит проводимость плазмы (однозарядные ионы) от температуры электронов ( ) при высокой степени ионизации?

а) ~ (Te)1/2,
б) ~Te ,
в) ~ (Te)3/2,
г) не зависит.

8. Когда применимо соотношение Эйнштейна De / [$956$]e =kTe /e(De - коэффициент диффузии, [$956$]e - подвижность электронов)?

а) если считать, что эффективная частота столкновений постоянная величина,
б) если распределение электронов по энергиям максвелловское,
в) если распределение электронов по энергиям максвелловское и эффективная частота столкновений постоянная величина,
г) всегда.


9. Какому соотношению отвечает отношение поперечной диффузии электронов к продольной (по отношению к направлению вектора напряженности электрического поля)?

а) <1,
б) >1,
в) =0,
г) =1.

10. Какой величине соответствует отношение поперечной, по отношению к направлению вектора напряженности электрического поля, диффузии тяжелых ионов в атмосфере «легкого» газа к продольной?

а) 1 ,
б) 1/2 ,
в) 1/3 ,
г)1/4 .

11. Чему равна скорость дрейфа электрона вдоль силовых линий однородного магнитного поля в присутствии постоянного электрического поля, перпендикулярного ему?

а)-[$956$]e E/(1+[$969$]c2/vm2)
б) [$956$]e [$969$]c E/vm(1+[$969$]c2/vm2) ,
в) 0,
г) начальной скорости движения электрона вдоль силовой линии магнитного поля.


12. Какой процесс сопровождает ассоциативную ионизацию?

а) процесс диссоциации с последующей ионизацией электронным ударом,
б) процесс диссоциации с последующей ионизацией ионным ударом,
в) процесс образования молекулярного иона и электрона при столкновении возбужденного атома с невозбужденным,
г) процесс образования молекулярного иона и электрона при столкновении возбужденного атома с электроном.

13. Какая по порядку величины энергия связи избыточного электрона в отрицательном ионе?

а) ~1 эВ,
б) ~10 эВ,
в) <<1 эВ,
г) >> 10 эВ.

14. Когда реализуется диссоциативное прилипание электрона с образованием отрицательного иона?

а) в любом молекулярном газе,
б) в молекулярном газе, состоящем из двухатомных молекул,
в) в молекулярном электроотрицательном газе, энергия связи атомов в котором превышает энергию сродства электрона к атому,
г) в молекулярном электроотрицательном газе, энергия связи атомов в котором меньше энергии сродства электрона к атому.

15. Когда можно пользоваться формулой Саха?

а) всегда,
б) в условиях термодинамического равновесия в системе,
в) в условиях термодинамического равновесия и только для систем содержащих заряженные частицы,
г) в отсутствии термодинамического равновесия в системе.

16. Чем определяется электронная теплопроводность?

а) градиентом концентрации электронов и их температурой,
б) градиентом концентрации электронов и градиентом их температуры,
в) только градиентом концентрации электронов,
г) только градиентом температуры электронов.

17. С чем связана реактивная теплопроводность в среде, содержащей плазму?

а) с переносом кинетической энергии движения частицами среды,
б) с переносом кинетической и потенциальной энергии,
в) с переносом потенциальной энергии,
г) с переносим энергии возбужденными молекулами.


Обсуждение

Форма ответа