Здравствуйте, Евгений!
В течении много-часовых поисков мне удалось найти темы с упоминанием энергетических уровней донорной примеси и полной активации ее атомов.
В статье "Полупроводниковые материалы. Физические процессы в полупроводниках" Ссылка1 аннотирую:
При повышении температуры, электроны с донорных уровней (в случае донорного полупроводника) переходят в зону проводимости… Чем выше температура, тем большее число примесных атомов активировано (участок 2-3).

Когда тепловой энергии достаточно для полной активации примесей (точка 3), происходит истощение примесных уровней. Все электроны донорной примеси перейдут в зону проводимости…

При дальнейшем повышении температуры концентрация свободных носителей заряда остается постоянной (область насыщения 3-4), так как примесные уровни истощены, а энергии теплового поля (k·Т) недостаточно для активации собственных носителей заряда.

В точке 4 тепловой энергии становиться достаточно для активации собственных носителей заряда в полупроводнике. Начинаются переходы электронов из валентной зоны в зону проводимости, и чем выше температура, тем больше актов активации собственных носителей заряда (участок 4-5)…

Таким образом, на вопрос "Что остается на энергетическом уровне донорной примеси при полной активации ее атомов?", я полагаю, нужно отвечать так : остаются истощённые примесные уровни донорного полупроводника.

Примерно так же описан процесс активации в статьях "Основы полупроводниковой электроники: Учебное пособие" Ссылка2 ,
"Зависимость сопротивления полупроводника от температуры. Определение энергии активации полупроводника. Лабораторная работа" Ссылка3
Если нужно, я могу опубликовать в минифоруме их копии, очищеные от гадких реклам.