30.05.2020, 11:31 [+3 UTC]
в нашей команде: 4 573 чел. | участники онлайн: 0 (рекорд: 21)

:: РЕГИСТРАЦИЯ

задать вопрос

все разделы

правила

новости

участники

доска почёта

форум

блоги

поиск

статистика

наш журнал

наши встречи

наша галерея

отзывы о нас

поддержка

руководство

Версия системы:
7.89 (25.04.2020)
JS-v.1.45 | CSS-v.3.39

Общие новости:
13.04.2020, 00:02

Форум:
29.05.2020, 13:47

Последний вопрос:
30.05.2020, 09:46
Всего: 152518

Последний ответ:
30.05.2020, 10:24
Всего: 260217

Последняя рассылка:
30.05.2020, 02:15

Писем в очереди:
0

Мы в соцсетях:

Наша кнопка:

RFpro.ru - здесь вам помогут!

Отзывы о нас:
16.11.2016, 17:52 »
svrvsvrv
Спасибо за принцип решения [вопрос № 190047, ответ № 274264]
26.07.2011, 08:13 »
PsySex
Спасибо за развернутый ответ. [вопрос № 183809, ответ № 267957]

РАЗДЕЛ • Физика

Консультации и решение задач по физике.

[администратор рассылки: Коцюрбенко Алексей Владимирович (Старший модератор)]

Лучшие эксперты в этом разделе

Алексеев Владимир Николаевич
Статус: Мастер-Эксперт
Рейтинг: 1729
Коцюрбенко Алексей Владимирович
Статус: Старший модератор
Рейтинг: 1555
Roman Chaplinsky / Химик CH
Статус: Модератор
Рейтинг: 348

Перейти к консультации №:
 

Консультация онлайн # 197265
Раздел: • Физика
Автор вопроса: Евгений (Посетитель)
Отправлена: 28.11.2019, 18:22
Поступило ответов: 1

Здравствуйте, уважаемые эксперты! Прошу вас ответить на следующий вопрос (желательно подробнее):
Почему при отсутствии внешних источников питания в p-n переходе появляется дрейфовый ток?

Состояние: Консультация закрыта

Здравствуйте, Евгений!
На поисковом сайте я запросил "дрейфовый ток в p-n переходе отсутствии внешних источников"
Почитайте сначала, что такое p-n-переход на странице ru.wikipedia.org...wiki/P-n-переход в абзаце "Области пространственного заряда" : В полупроводнике p-типа, который получается посредством акцепторной примеси, концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n-типа, который получается посредством донорной примеси, концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок.

Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток - основные носители заряда (электроны и дырки) хаотично перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше, и рекомбинируют друг с другом. Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).

Таким образом, на границе полупроводников образуются два слоя с пространственными зарядами противоположного знака, порождающие в переходе электрическое поле. Это поле вызывает дрейфовый ток в направлении, противоположном диффузионному току. В конце концов, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие, и изменение пространственных зарядов прекращается. Обеднённые области с неподвижными пространственными зарядами и называют p-n-переходом.


Теперь мы готовы читать про дрейф-особенности на Ссылка2
"2.2 Прямое и обратное включение р-n-перехода. Если источник напряжения подключить знаком плюс к области р-типа, а знаком минус к области n-типа, то получим включение, которое называют прямым. Противоположное включение называют обратным. При прямом включении электрическое поле источника напряжения напряженностью Eи направлено навстречу контактному полю напряженностью E, поэтому напряженность результирующего электрического поля
E1 = E - Eи
Уменьшение напряженности электрического поля в р-n-переходе вызовет снижение высоты потенциального барьера на значение прямого напряжения источника.

Уменьшение высоты потенциального барьера приводит к тому, что увеличивается число основных носителей заряда через р-n-переход, т.е. усиливается диффузионный ток. Изменение диффузионного тока с изменением напряжения происходит по экспоненциальному закону…

На дрейфовый ток изменение высоты потенциального барьера не влияет, так как этот ток определяется только количеством неосновных носителей заряда, переносимых через р-n-переход в единицу времени в результате их хаотического теплового движения.
"

От себя добавлю : высота потенциального барьера зависит от напряжения, приложенного извне. То есть , напряжение внешнего источника в прямом направлении увеличивает диффузионный ток, а в обратном - уменьшает (p-n-переход запирается расширенной обеднённой зоной).
Дрейфовый ток зависит от температуры (горячее - ток больше), материала полупроводника (у германия больше, чем у кремния), площади pn-перехода (у мощних площадь и ток больше, чем у маломощных), но НЕ зависит от напряжения внешнего источника питания.

см также Процессы в электронно-дырочном переходе Ссылка3 ,
Электронно-дырочный переход Ссылка3 , Электрические переходы Ссылка5


Консультировал: Алексеев Владимир Николаевич (Мастер-Эксперт)
Дата отправки: 02.12.2019, 17:05

5
Спасибо, буду разбираться!
-----
Дата оценки: 02.12.2019, 21:49

Рейтинг ответа:

+1

[подробно]

Сообщение
модераторам

Отправлять сообщения
модераторам могут
только участники портала.
ВОЙТИ НА ПОРТАЛ »
регистрация »

Возможность оставлять сообщения в мини-форумах консультаций доступна только после входа в систему.
Воспользуйтесь кнопкой входа вверху страницы, если Вы зарегистрированы или пройдите простую процедуру регистрации на Портале.

Rambler's Top100

главная страница | поддержка | задать вопрос

Время генерирования страницы: 0.13107 сек.

© 2001-2020, Портал RFPRO.RU, Россия
Калашников О.А.  |  Гладенюк А.Г.
Версия системы: 7.89 от 25.04.2020
Версия JS: 1.45 | Версия CSS: 3.39