Консультация № 195605
13.05.2019, 11:16
0.00 руб.
0 0 0
Здравствуйте! Мне нужна помощь, хотя бы 3 задачи. Очень нужно!

Задание 1
1. Как, во сколько раз и почему изменится сопротивление образца из чистого кремния, если изменить его температуру от Т1=300 К до Т2=400 К, ∆W=1,1 эВ.
2. Вычислить электронную составляющую диффузионного тока через этот образец, в нём на длине l=100 м, концентрация электронов изменится от n1=10^16 см^-3 до 10^13 см^-3, Т=400 К, µn=0,19 м^2/Вс.
Задание 2
1. Определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда в донорном кремнии при Т=400 К, где Nд=10^16 см^-3, ∆Wд=0,05 эВ. Ширина запрещённой зоны ∆W=1,1 эВ, Nc=Nv=5*10^19 см^-3.
2. Определить ширину p-n переход, созданного на основе кремния с NA=10^16 см^-3, NД=10^17 см^-3, ɛ=12 при Т=400 К и прямом напряжении U=0,05 B, если nn/np=10^4.
3. Как и во сколько изменится плотность прямого тока через p-n переход в условии второй задачи, если температура изменится от Т1 до Т2. Начертите эту часть ВАХ.


Обсуждение

Форма ответа