Консультация № 195173
08.04.2019, 09:51
0.00 руб.
09.04.2019, 19:17
1 0 0
Здравствуйте! У меня возникли сложности с таким вопросом:
1. Определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда в акцепторном полупроводнике, где NА = 2[$183$]1015 см-3, [$916$]Wa=0.03 эВ, а ширина запрещённой зоны [$916$]W=0,80 эВ, Т=340 К. Начертить энергетическую диаграмму.
2. Определить ширину p-n перехода, выполненного на основе Si, NА=1016 см-3, NД=1016 см2, [$949$]=12; температура 340 К, приложено обратное напряжение U=0.05 В, а nn/np=105.
3. Начертить вольт-амперную характеристику p-n перехода, объяснить.
Прикрепленные файлы:
44616dc6782eb2c0f6a6281a9b62d54c09ae173f.jpg

Обсуждение

Форма ответа