Консультация № 189812
24.09.2016, 15:19
0.00 руб.
0 0 0
Здравствуйте, уважаемые эксперты! Прошу вас ответить на следующий вопрос:

В кремниевый кристалл n-типа через одну из его граней производится инжекция неосновных носителей, таким образом, что их концентрация вблизи этой грани поддерживается на постоянном уровне 2.10^13 см-3. Найдите плотность тока диффузии вблизи данной грани кристалла. На каком расстоянии от этой плоскости концентрация дырок упадет в 10 раз? Удельное сопротивление образца 3 Ом.см; время жизни дырок 5 мкс; температура 300 К. Длина образца существенно больше, чем диффузионная длина дырок.

Обсуждение

Форма ответа