Здравствуйте, смирнов игорь!

Генерация неравновесных электронов и дырок при облучении полупроводника светом (фотопроводимость) происходит за счёт перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости при поглощении фотона. Очевидно, это возможно при условии, что энергия поглощаемого фотона E = h[$957$] больше ширины запрещённой зоны E[sub]g[/sub]. Следовательно, наименьшая частота падающего света, при которой возможна генерация электронов и дырок, равна [$957$][sub]min[/sub] = E[sub]g[/sub]/h, где h [$8776$] 4.136·10[sup]-15[/sup] эВ·с - постоянная Планка. В данном случае E[sub]g[/sub] = 0.72 эВ и [$957$][sub]min[/sub] = 0.72/4.136·10[sup]-15[/sup] [$8776$] 1.741·10[sup]14[/sup] Гц = 174.1 ТГц.

Здравствуйте, смирнов игорь!

Для образования носителей заряда в полупроводнике необходимо, чтобы энергия падающего излучения была достаточной для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости, т. е. была равной ширине запрещённой зоны: h[$957$] = E_g, откуда [$957$] = E_g/h. В нашем случае E_g = 0,72 эВ = 0,72 [$183$] 1,6 [$183$] 10^-19 [$8776$] 1,15 [$183$] 10^-19 (Дж),
[$957$] = 1,15 [$183$] 10^-19/(6,63 [$183$] 10^-34) [$8776$] 1,7 [$183$] 10¹⁴ (Гц).

С уважением.