19.06.2009, 10:07
общий
это ответ
Здравствуйте, Феникс.
1) Проводимость полупроводника при температуре T равна
г=г0*exp(-W/2kT), где W -величина запрещенной зоны, k -постоянная Больцмана.
Сопротивление кристалла R=K/г, где K- некоторый коэффициент.
Следовательно, R1/R2=г2/г1=exp(-W/2kT2)/exp(-W/2kT1)=exp[W/2k*(1/T1-1/T2)].
R2=R1*exp[W/2k*(1/T2-1/T1)].
Чтобы посчитать R2, нужно знать ширину запрещенной зоны. Я ее, к сожалению, не смогла найти в справочниках.
2) A.Напряженность электрического поля в точке с координатами (x, y,z) E=grad φ= (10x, 10y, 12z). Ее модуль равен |E|=sqrt(100(x^2+y^2)+144z^2);
Б. Эквипотенциальные поверхности - это поверхности, на которых φ=const. Т.е., уравнение эквипотенциальной поверности 5(x^2+y^2) + 6z^2=φ0. Это эллипсоид вращения, у которого дви полуоси равны sqrt( φ0/5), а третья - sqrt(φ0/6).
B. поверхности, на которых Е=const. если имеется в виду |E|, что это поверности, на которых 100(x^2+y^2)+144z^2 = E0^2. Это также эллипсоиды вращения с полуосями E0/10, E0/10 и E0/12, соответственно.