27.09.2010, 20:55
общий
это ответ
Здравствуйте, Flavi49.
Количество атомов фосфора NP=NA[$183$]mP/MP=6.02[$183$]1023моль[sup]-1[/sup][$183$]25,7[$183$]10-6г/31г/моль=4,99[$183$]1017
Количество атомов галлия NGa=NA[$183$]mGa/MGa=6.02[$183$]1023моль[sup]-1[/sup][$183$]38,2[$183$]10-6г/69.7г/моль=3,30[$183$]1017
Если каждый атом фосфора отдаёт 1 свободный электрон, а каждый атом галлия присоединяет 1 электрон, то образуется избыток свободных электронов:
Nn=NP-NGa=1.69[$183$]1017
Плотность кремния d=2,33 г/см3
Объём кристалла: V=mSi/d=51.5 см3
Концентрация свободных электронов nn=Nn/V=3,28[$183$]1015 см-3=3,28[$183$]1021 м-3
Эта величина значительно превосходит концентрацию собственных носителей заряда в чистом кремнии (1,5[$183$]1010 см-3), поэтому электропроводность полностью обеспечиваются электронами примеси.
Электропроводность
[$947$]=nn[$183$][$956$]n[$183$]e=3,28[$183$]1021м[sup]-3[/sup][$183$]0.12м[sup]2[/sup]/(В[$183$]с)[$183$]1,6[$183$]10-19Кл=63 См/м
Удельное сопротивление [$961$]=1/[$947$]=0,016 Ом[$183$]м