Здравствуйте, Flavi49.
При помещении полупроводника в магнитное поле носители тока, перемещаюшиеся под действием приложенной к нему разности потенциалов, будут отклоняться в поперечном направлении. Это отклонение, вызванное силой Лоренца, приведет к "накоплению" заряда на боковой поверхности образца, причем создаваемое в результате этого напряжение (холловская разность потенциалов) действием своим будет уравновешивать силу Лоренца. Холловская разность потенциалов определяется соотношением:
U_н=R_нBjl
Плотность тока j найдем, воспользовавшись законом Ома в дифференциальной форме:
j=yE, где Е - напряженность поля в образце.
Считая поле в образце однородным, можно написать E=U/L и тогда
j=yU/L
Подставив плотность тока в выражение получим:
U_н=R_н*B*l*y*U/L
Удельная проводимость равна:
y=1/[$961$]
Тогда получим:
U_н=R_н*B*l*U/(L*[$961$])
Вычислим искомую величину:
U_н=0.1*0.1*0.02*150/(0.1*0.3)=1 (В)
Удачи

Здравствуйте, Flavi49.

Дано: l = 2 см = 0,02 м, L = 10 см = 0,1 м, U = 150 В, B = 0,1 Тл, R_H = 0,1 м³/Кл, ρ = 0,3 Ом • м.
Определить: ∆φ.



Если поместить полупроводник в магнитное поле (рисунок), носители тока (например, электроны в проводнике n–типа), перемещающиеся под действием разности потенциалов U, будут отклоняться в поперечном направлении. Отклонение, вызванное силой Лоренца, приведет к накоплению зарядов противоположных знаков на боковых поверхностях пластины, причем создаваемая в результате этого холловская разность потенциалов ∆φ своим действием будет уравновешивать силу Лоренца.

Преобразуем известную формулу ∆φ = RHBI/d, где d = S/l – толщина пластины, S – площадь поперечного сечения пластины, учитывая, что I = U/r, где r = ρL/S – сопротивление полупроводника, следующим образом:
∆φ = R_HBI/d = R_HBU/(rd) = R_HBU/(ρL/S • S/l) = R_HBUl/(ρL). (1)

Подставляя в выражение (1) численные значения величин, получаем
∆φ = 0,1 • 0,1 • 150 • 0,02/(0,3 • 0,1) = 1 (В).

Ответ: 1 В.

С уважением.