Консультация № 175909
07.01.2010, 22:26
45.00 руб.
0 0 0
Уважаемые эксперты!
Нужна ваша помощь в решение следующих задач.

1. Для устранения отражения света от поверхности линзы на нее наносится тонкая пленка вещества с показателем преломления на 1.25 меньше, чем у стекла (просветление оптики). При какой наименьшей толщине пленки отражение света с длиной волны 0.72 мкм не будет наблюдаться, если угол падения лучей 60º?

2. На диафрагму с круглым отверстием падает плоская монохроматическая волна
(лямбда = 450 нм). Расстояние от диафрагмы до точки наблюдения b = 10 м. Найти радиус первой зоны Френеля.

3. Определить разрешающую способность дифракционной решетки шириной 2 см в третьем порядке, если постоянная решетки равна 5*10^(-4) см. Какова наименьшая разность длин волн для двух разрешающих спектральных линий в желтой области (лямбда = 600 нм)?

4. Кванты света с энергией Е = 4.9 эВ вырывают фотоэлектроны из металла с работой выхода А = 4.5 эВ. Найти максимальный импульс, передаваемый поверхности металла при вылете каждого электрона.

5. Вычислить отношение массы протона к массе электрона, если известно, что отношение постоянных Ридберга для тяжёлого и лёгкого водорода равно 1.000272, а отношение масс ядер составляет 2.00.

6. Электрон обладает энергией Е = 10 эВ. Определить, во сколько раз изменится его скорость v и длина волны де- Бройля λ при прохождении через потенциальный барьер высотой U = 6 эВ. Частица массы m падает слева на прямоугольный потенциальный барьер высотой U0. Энергия частицы равна Е, причём Е<U0. Найти эффективную глубину хэф проникновения частицы под барьер, т.е. расстояние от границы барьера до точки, в которой плотность вероятности W нахождения частицы уменьшается в е раз. Вычислить хэф для электрона, если U0-Е = 1,0 эВ.

Буду рада любой помощи!
Спасибо за Ваше время, терпение и внимание к вопросам.

Обсуждение

Форма ответа