Здравствуйте, Потапов Дмитрий Михайлович.
Ну, если несколько предложений...
1. Проводимость (собственная) полупроводников (например германия или кремния) обусловлена наличием в материале небольшого количества свободных электронов (-) и дырок(+). Свободные электроны и дырки появляются при разрыве ковалентных связей между атомами вещества. Свободные электроны и дырки в чистом (собственном) полупроводнике появляются и исчезают одновременно, поэтому концентрация электронов равна концентрации дырок.
1.А. При наличии примесей донорного типа, например мышьяка, резко увеличивается количество свободных электронов, поэтому проводимость образца резко увеличивается. Такие полупроводники называются полупроводниками n-типа.
1.Б. При наличии примесей акцепторного типа (например индия) резко увеличивается количество дырок, что также приводит к увеличению проводимости. Такие полупроводники называются полупроводниками p-типа.
2. При нагревании (освещении) атомы получают дополнительную энергию, что приводит к увеличению их кинетической энергии, что приводит к увеличению количества (концентрации) свободных электронов и дырок, что приводит к увеличению проводимости.
3. Аналогичный эффект наблюдается при механическом воздействии (например изгибании образца).
4. В общем случае, при увеличении напряженности электрического поля увеличивается скорость носителей заряда (электронов и дырок), что приводит к увеличению температуры вещества, что приводит, в свою очередь, к увеличению проводимости.
5. Во всех описанных случаях зависимость проводимости от внешнего воздействия носит нелинейный характер.

С уважением
shvetski